- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發(fā)鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機(jī)
- 涂布機(jī)
- 等離子清洗機(jī)
- 放電等離子燒結(jié)爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機(jī)
- 快速退火爐
- 晶體生長爐
- 真空管式爐
- 旋轉(zhuǎn)管式爐
- PECVD氣相沉積系統(tǒng)
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機(jī)
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束，激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統(tǒng)
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結(jié)爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區(qū)域提純爐
- 微波燒結(jié)爐
- 粉末壓片機(jī)
- 真空手套箱
- 真空熱壓機(jī)
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質(zhì)量流量計(jì)
- 真空法蘭
- 混料機(jī)設(shè)備
- UV光固機(jī)
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環(huán)境模擬試驗(yàn)設(shè)備
- 實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品配件
- 實(shí)驗(yàn)室鍍膜耗材
- 其他產(chǎn)品
|
CY-AR3000BG-T 4電弧提拉法單晶生長爐 |
|
|
腔體 |
1、采用304不銹鋼腔體，帶有水冷夾層，可通入冷卻水 2、腔體上安裝有石英窗口，以便觀察樣品 3、腔體真空度：10-5Torr（采用分子泵） 4、腔體尺寸：Φ257*360mm |
|
真空計(jì) |
1、腔體上安裝有數(shù)顯防腐真空計(jì)和機(jī)械壓力表 |
|
電弧槍 |
1、共有4個(gè)電弧槍，可讓樣品得到均勻的溫場(chǎng)（電弧槍都帶有冷卻水） 2、鎢電極直徑為Φ4mm 3、電弧腔體對(duì)樣品的角度和距離可手動(dòng)調(diào)節(jié) 4、起弧電源： 18 V / 185 A 電壓380V 5、熔煉溫度可達(dá)3000℃
|
|
樣品臺(tái) |
1、采用水冷銅坩堝 2、可投入樣品量為60g(按鐵計(jì)算) |
|
提拉機(jī)構(gòu) |
1、控制器控制提拉機(jī)構(gòu)的提拉速度，轉(zhuǎn)速和轉(zhuǎn)速 2、提拉速度：0.2-10mm/h 3、提拉行程：0-70mm 4、轉(zhuǎn)速：0-40RPM |
|
控制單元 |
1、可顯示和設(shè)置單晶生長的參數(shù)（起弧電流，提拉桿轉(zhuǎn)速，提拉行程和轉(zhuǎn)速） |
|
真空泵 |
1、設(shè)備中配有一分子泵系統(tǒng)（機(jī)械泵+渦旋分子泵） 2、抽氣速率：100L/S 3、可使設(shè)備腔體的真空度達(dá)到10-5Torr(40分鐘內(nèi)) |
|
循環(huán)水冷機(jī) |
1、功率：800W 2、水流速度：58L/min 3、制冷能力：5004W（17500Btu/hour） 4、溫度控制：5~30°C |
|
設(shè)備尺寸：800mm（L）*800mm（W）*1500mm(H) |
|
